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科民ALD實現高質量依(Ir)單質沉積
分類:公司新聞  12999次瀏覽  發表時間:2019-1-10 09:23:39

科民ALD實現高質量(Ir)單質沉積

 

  金屬銥單質在光學器件、催化等領域具有廣泛的應用前果。科民電子利用PE-ALD設備攻克了銥源前驅體不易擴散等難點,成功實現高質量單質銥SEM結果顯示(Ir)鍍膜均勻,無空隙,完全滿足高端用戶的需求。

 

SEM 50K:ALD Ir thin film  

 PEALD設備

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